食品重金屬檢測(cè)儀ZJ05

說(shuō)明
重金屬檢測(cè)儀采用電化學(xué)方法，使用無(wú)汞電，安全環(huán)保。 主要針對(duì)食品、水質(zhì)、土壤、水產(chǎn)品等物質(zhì)中重金屬含量進(jìn)行檢測(cè)，操作簡(jiǎn)單，便于在現(xiàn)場(chǎng)快速準(zhǔn)確的進(jìn)行檢測(cè)。集重金屬鉛、鎘、六價(jià)鉻、汞、砷等多種檢測(cè)項(xiàng)目為一體，可以滿足多項(xiàng)重金屬分析的需要。此檢測(cè)儀器既可用于現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)，也可用于實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)，開機(jī)成本低，耗材用量少，操作工作量小，使用方便且成本低。
食品重金屬檢測(cè)儀ZJ05
一、儀器特點(diǎn)：
1.基于溶出伏安法，抗干擾能力強(qiáng)，靈敏度高，檢測(cè)限低至ppb級(jí)（μg/L）；
2.工作電采用長(zhǎng)壽命無(wú)汞電,安全環(huán)保；
3.樣品前處理安全、簡(jiǎn)便，可以一次處理測(cè)試鉛、鎘、鉻、汞、砷等多種金屬；
4.快速檢測(cè)，檢測(cè)時(shí)間只需幾十秒，檢測(cè)前準(zhǔn)備時(shí)間只需幾分鐘；
5.高清觸摸屏幕，操作簡(jiǎn)便，無(wú)需掌握電化學(xué)專業(yè)知識(shí)；
6.測(cè)試過(guò)程自動(dòng)化，支架自動(dòng)升降，測(cè)試管旋轉(zhuǎn)速度自動(dòng)調(diào)節(jié)；
7.智能化程度高，數(shù)據(jù)可自動(dòng)處理、顯示、存儲(chǔ)、打?。?br />8.使用成本低，開機(jī)成本低，耗材用量少；
9.使用方便，既可用于現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)，也可用于實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)；
10.可與計(jì)算機(jī)連接使用，配備軟件控制檢測(cè)過(guò)程。

二、技術(shù)參數(shù):
1.系統(tǒng)分辨精度：電流零點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電位對(duì)值不大于2mV；
                             起點(diǎn)電位與初始電位設(shè)定值相對(duì)偏差的對(duì)值應(yīng)不大于2%；
                             終點(diǎn)電位與終止電位設(shè)定值相對(duì)偏差的對(duì)值應(yīng)不大于2%；
2.zui小可測(cè)濃度：0.5 ppb (μg/L)；
3.重復(fù)性：RSD≤10%；
4.線性：線性相關(guān)系數(shù)r≥0.995；
5.外形尺寸：400 mm×270 mm×420 mm；
6.凈重：14.0 ㎏

產(chǎn)品名稱：數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀 少子壽命測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)： LT-100C 數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀 少子壽命測(cè)試儀 型號(hào)： LT-100C  為解決太陽(yáng)能單晶、多晶少子壽命測(cè)量，特按照國(guó)標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測(cè)試儀。                                                               該設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測(cè)器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過(guò)數(shù)次全國(guó)十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn)，證明是一種成熟可靠的測(cè)試方法，特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測(cè)量；也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量，給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面，制樣簡(jiǎn)便。   LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀有以下特點(diǎn)：  1、 可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無(wú)需拋光，直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量。同時(shí)可測(cè)量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管級(jí)硅單晶的少子壽命。  2、  可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命，表面無(wú)需拋光、鈍化。  3、配備軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形，并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。  4、配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源：  a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。  b、短波長(zhǎng)紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測(cè)量低阻太陽(yáng)能級(jí)硅晶體。  5、測(cè)量范圍寬廣  測(cè)試儀可直接測(cè)量：  a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命。  b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。  壽命可測(cè)范圍     0.25μS—10ms