數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 型號：ZD-LT-100C
為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量，特按照國標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。                                                       
數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀

      該設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過數(shù)次全國十多個(gè)單位巡回測試的考驗(yàn)，證明是一種成熟可靠的測試方法，特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量；也可對硅片進(jìn)行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，制樣簡便。

DZ-LT-100C有以下特點(diǎn)：
1、 可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面進(jìn)行測量。同時(shí)可測量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管級硅單晶的少子壽命。
2、  可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。
3、配備軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)顯示動態(tài)光電導(dǎo)衰退波形，并可聯(lián)

用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。
4、配置兩種波長的紅外光源：
a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。
b、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測量低阻太陽能級硅晶體。
5、測量范圍寬廣
測試儀可直接測量：
a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。
b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
壽命可測范圍     0.25μS—10ms    

產(chǎn)品名稱：溫濕傳感器 溫度濕度傳感器 產(chǎn)品型號：QXY8-DWHC2

溫濕傳感器/溫度濕度傳感器  型號：QXY8-DWHC2

QXY8-DWHC2溫濕傳感器采用*PT100鉑電阻和進(jìn)口高性能濕敏單元,在測量精度穩(wěn)定性和時(shí)間響應(yīng)方面居國內(nèi)同類產(chǎn)品地位，廣泛應(yīng)用于各類對環(huán)境、溫度、濕度測量數(shù)據(jù)要求較高的部門使用。

技術(shù)參數(shù)

    溫度

       測量范圍：        -50℃~ 60℃

       Z大允許誤差：    ±0.2℃

       輸出信號：        四線電阻輸出

    濕度

        測量范圍：        0% RH～100% RH

        對應(yīng)模擬輸出：    0% RH～100%RH對應(yīng)于0V～1V

        Z大允許誤差：    ±1.5%RH （23℃±5℃）

                                 ±2%RH  （-10℃~50℃）

                                 ±3%RH  （-30℃~70℃）

    長期穩(wěn)定性：          ≤1%RH/年

    重復(fù)性：              0.5%RH

    溫度系數(shù)：            ±0.05%RH/℃

    工作溫度：            -40℃～60℃

    供電：                3.5V～50V DC（推薦5V DC）

    穩(wěn)定時(shí)間：            500ms

    功耗：                ≤4mA

    輸出負(fù)載：            ≥10kΩ

    電纜長度：            3.5m

    Z大外形尺寸：        φ25mm×316 mm

    重量：                0.35kg